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CasNo:771-63-1 MDL:MFCD00002340 分子式:C6H2F4O2； C6F4-1,4-(OH)2 分子量:182.07
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1.用于各種集成電路的等離子刻蝕工藝,也用作激光氣體,用于低溫制冷劑、溶劑、潤滑劑、絕緣材料、紅外檢波管的冷卻劑。 2.是目前微電子工業(yè)中用量最大的等離子蝕刻氣體,四氟甲烷高純氣及四氟甲烷高純氣、高純氧的混合氣,可廣泛應(yīng)用于硅、二氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃及鎢等薄膜材料的蝕刻,在電子器件表面清洗、太陽能電池生產(chǎn)、激光技術(shù)、低溫制冷、泄漏檢驗、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。 3.用作低溫制冷劑及集成電路的等離子干法蝕刻技術(shù)。
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